根据版权法的理念，作品受保护的实质条件是具备独创性，此外并无形式上的要求。因此，大多数国家实行的都是自动保护的原则，作品自创作完成之日起自动享有版权。而根据专利法的一般规则，技术方案受专利保护的实质条件是具备三性：新颖性、创造性和实用性;形式条件是必须向专利主管部门申请并接受审查。集成电路的立法并不将版权法和专利法进行简单地相加，而是有所取舍的制定了布图设计获得保护的独特条件。
从各国集成电路立法规定的保护条件来看，布图设计受保护的条件既有版权法对作品的要求，也渗透了专利法对发明创造的要求。《华盛顿条约》对此问题的规定颇具代表性，该《条约》第3条第2款规定：“(A)第1款a项所指义务适用于具有独创性的布图设计。此种意义的独创性，是指它们是其创作者自己智力创造的成果，并且在创作的时候在布图设计者之间以及集成电路生产者之间不是显而易见的;(B)由显而易见的元件和集成电路的互连结合而构成的布图设计，只有当这种结合作为一个整体，符合(A)项的条件时才能受到保护。”
值得注意的是，《华盛顿条约》虽然使用了“独创性”一词，但其含义与版权法上的“独创性”不同;此处的“独创性”一词有两层特殊的含义：
(1)布图设计必须是其创作者独立创造完成的智力成果，而不能是简单的复制或者模仿他人的布图设计，在这一点上与版权法中独创性的含义相同。
(2)布图设计的局部或者布图设计的整体必须具有非常规性。受到电路参数、产品尺寸、半导体材料结构等技术因素和物理规律的限制，集成电路的布图设计必须遵循共同的技术原理和设计规则;因此，布图设计的表现形式是有限的。并非所有的布图设计都能受到保护，受到保护的布图设计应当是非常规的、或者非显而易见的、或者不为人所熟知的。换言之，布图设计应当具备一定的先进性，只不过这种先进性比专利法中对创造性的要求低得多。
由此可知，复制或模仿他人的布图设计而获得的布图设计由于缺乏独创性而不能受到保护。此外，具有独创性的常规布图设计同样也不受保护。只有那些创作者独立创作完成，并具有一定的先进性的非常规布图设计才能获得保护。
在《华盛顿条约》之后的各国立法以及相关的国际条约中，基本都承袭了《华盛顿条约》规定的保护条件。在欧盟制定的《关于半导体产品布图设计法律保护的理事会指令》也有类似的规定 。
中国的《集成电路布图设计保护条例》对此的规定与前述几个国际条约的规定如出一辙。该《条例》第4条规定，“受保护的布图设计应当具有独创性，即该布图设计是创作者自己的智力劳动成果，并且在其创作时该布图设计在布图设计创作者和集成电路制造者中不是公认的常规设计。受保护的由常规设计组成的布图设计，其组合作为整体应当符合前款规定的条件。布图设计专有权的客体是具有独创性的布图设计”。显然，中国在集成电路布图设计领域的立法自肇始之日就把保护范围扩展到了最全面的第三层次。中国知识产权立法受域外立法影响之深，由此可见一斑。好在中国已经成为集成电路产业生产、研发大国，从这一现实国情出发，一步到位的提高保护范围并不显得太过超前。
